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MUR2040ACTG

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MUR2040ACTG 技术参数
  • MUR20010CTR 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MUR20010CT 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MUR160-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 MUR160GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.35V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 MUMA5AZP1T 功能描述:交流电 伺服电机 3000 RPM 50W 增量式 编码器 100,200VAC 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:MINAS E 零件状态:有效 类型:交流电机 功能:伺服电机 电机类型:- 电压 - 额定:100,200VAC RPM:3000 RPM 扭矩 - 额定值 (oz-in / mNm):22.7 / 160 功率 - 额定值:50W 编码器类型:增量式 大小/尺寸:方形 - 1.654" x 1.654"(42.00mm x 42.00mm) 直径 - 轴:0.339"(8.60mm) 长度 - 轴和轴承:0.945"(24.00mm) 安装孔间距:1.890"(48.00mm) 端子类型:带连接器的缆线 特性:制动器,键 齿轮减速比:- 扭矩 - 瞬时最大值?(oz-in / mNm):67.97 / 480 工作温度:0°C ~ 40°C 认可:CE,CSA,cULus,TUV,UL 重量:1.3 磅(589.7g) 标准包装:1 MUR220G MUR220RL MUR220RLG MUR240 MUR240G MUR240RL MUR240RLG MUR2505 MUR2505R MUR2510 MUR2510R MUR2520 MUR2520R MUR2540 MUR2540R MUR2560 MUR2560R MUR260
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