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MUR305S V6G

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MUR305S V6G 技术参数
  • MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X060A06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 600V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X060A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X060A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR310S V6G MUR310S V7G MUR310SHM6G MUR310SHR7G MUR315S M6G MUR315S R7G MUR315S V6G MUR315S V7G MUR315SHM6G MUR315SHR7G MUR320S M6G MUR320S R7G MUR320S V6G MUR320S V7G MUR320SB M4G MUR320SB R5G MUR320SBHM4G MUR320SBHR5G
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