MUR340SB M4G

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MUR340SB M4G 技术参数

MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X060A06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 600V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X060A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X060A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR360SB M4G MUR360SB R5G MUR360SBHM4G MUR360SBHR5G MUR360SHM6G MUR360SHR7G MUR40005CT MUR40005CTR MUR40010CT MUR40010CTR MUR40020CT MUR40020CTR MUR40040CT MUR40040CTR MUR40060CT MUR40060CTR MUR405 MUR405G