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MURS120HE3_A/I

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MURS120HE3_A/I 技术参数
  • MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):70A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 70A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MURS140HE3/52T MURS140HE3/5BT MURS140HE3_A/H MURS140HE3_A/I MURS140-M3/52T MURS140-M3/5BT MURS140T3 MURS140T3G MURS160/2 MURS160-13 MURS160-13-F MURS160-E3/52T MURS160-E3/5BT MURS160HE3/52T MURS160HE3/5BT MURS160HE3_A/H MURS160HE3_A/I MURS160-M3/52T
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