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MXLSMLJ30AE3

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
MXLSMLJ30AE3 技术参数
  • MXLSMLJ30A 功能描述:TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:48.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:62A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXLSMLJ28CAE3 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:45.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:66A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXLSMLJ28CA 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:45.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:66A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXLSMLJ28AE3 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:45.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:66A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXLSMLJ28A 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:45.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:66A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXLSMLJ36CAE3 MXLSMLJ40A MXLSMLJ40AE3 MXLSMLJ40CA MXLSMLJ40CAE3 MXLSMLJ43A MXLSMLJ43AE3 MXLSMLJ43CA MXLSMLJ43CAE3 MXLSMLJ45A MXLSMLJ45AE3 MXLSMLJ45CA MXLSMLJ45CAE3 MXLSMLJ48A MXLSMLJ48AE3 MXLSMLJ48CA MXLSMLJ48CAE3 MXLSMLJ5.0A
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