MXT101HQ_100

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MXT101HQ_100 技术参数

MXSMLJ90CAE3 功能描述:TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:146V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXSMLJ90CA 功能描述:TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:146V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXSMLJ90AE3 功能描述:TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:146V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXSMLJ90A 功能描述:TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:146V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXSMLJ9.0CAE3 功能描述:TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:194.8A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MXUPT12E3 MXUPT15 MXUPT15E3 MXUPT17 MXUPT17E3 MXUPT24 MXUPT24E3 MXUPT28 MXUPT28E3 MXUPT33 MXUPT33E3 MXUPT48 MXUPT48E3 MXUPT5 MXUPT5E3 MXUPT8 MXUPT8E3 MXUPTB10