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MBR156

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  • MBR1560CT-E3/45
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 科创特电子(香港)有限公司
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MBR156 技术参数
  • MBR1545CT 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):840mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MBR1545 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr,F 时的电容:500pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR15200DJFTR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V PDFNWB5X6-8L 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):920mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-PDFNWB(5x6) 工作温度 - 结:-55°C ~ 200°C 标准包装:1 MBR15200 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR130HWTR 功能描述:PIV 30V IO 1A VF 0 45V PACKAGE S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 MBR15H35CT-E3/45 MBR15H35CTHE3/45 MBR15H45CT-E3/45 MBR15H45CTHE3/45 MBR15H50CT-E3/45 MBR15H50CTHE3/45 MBR15H60CT-E3/45 MBR15H60CTHE3/45 MBR15U60-TP MBR160 MBR160G MBR160HWTR MBR160RL MBR160RLG MBR16100 C0G MBR16100CT MBR16100CTG MBR16100HC0G
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