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MLF2012E100

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-837892031333298700517727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • TDK

  • 原厂原装

  • 18+

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  • 原装正品，优势供应

  • MLF2012E100KT000
    MLF2012E100KT000

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  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人：胡

    电话：13480313979

    地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质：营业执照

  • 15000

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  • 原装正品 专业BOM配单

  • MLF2012E100JT000
    MLF2012E100JT000

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人：李瑞兵

    电话：18897698645

    地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • TDK

  • 22+

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  • 原装正品

  • MLF2012E100KT000
    MLF2012E100KT000

    MLF2012E100KT000

  • 深圳市粤科源兴科技有限公司
    深圳市粤科源兴科技有限公司

    联系人：谢先生

    电话：13392885468

    地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室

    资质：营业执照

  • 2000

  • TDK

  • 原装现货国内最低价

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  • 原装现货/价格优势

  • MLF2012E100JT000
    MLF2012E100JT000

    MLF2012E100JT000

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-23984783

    地址：华强广场C座22K

    资质：营业执照

  • 59880

  • TDK/东电化

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MLF2012E100 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
MLF2012E100 技术参数
  • MLF2012DR82MTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:820nH 容差:±20% 额定电流:150mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:650 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:25 @ 25MHz 频率 - 自谐振:130MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 MLF2012DR82M 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:820nH 容差:±20% 额定电流:150mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:650 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:25 @ 25MHz 频率 - 自谐振:130MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 MLF2012DR82KTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:820nH 容差:±10% 额定电流:150mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:650 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:25 @ 25MHz 频率 - 自谐振:130MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 MLF2012DR82KT000 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:820nH 容差:±10% 额定电流:150mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:650 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:25 @ 25MHz 频率 - 自谐振:130MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 MLF2012DR82JTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:820nH 容差:±5% 额定电流:150mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:650 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:25 @ 25MHz 频率 - 自谐振:130MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 MLF2012E120JTD25 MLF2012E120KT000 MLF2012E120KTD25 MLF2012E120M MLF2012E120MT MLF2012E120MT000 MLF2012E120MTD25 MLF2012E5R6JT000 MLF2012E5R6JTD25 MLF2012E5R6KT000 MLF2012E5R6KTD25 MLF2012E5R6M MLF2012E5R6MT MLF2012E5R6MT000 MLF2012E5R6MTD25 MLF2012E6R8JT000 MLF2012E6R8JTD25 MLF2012E6R8KT000
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