MMBD6050LT1G全国供应商 MMBD6050LT1G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

MMBD6050LT1G
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
17814
ON/安森美
NA
21+
-
原装现货假一赔十

MMBD6050LT1G
深圳市诚达吉电子有限公司
深圳市诚达吉电子有限公司
联系人：莫小姐
电话：15013829553
地址：广东深圳
资质：营业执照
2000
SMD
22+
-
全部原装现货

MMBD6050LT1G
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
联系人：杨锐锋
电话：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田区华强广场二楼Q2B046
66000
ONSEMI
-
高品质！价格美丽！

MMBD6050LT1G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：13168731828
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515
资质：营业执照
9000
ON/安森美
SOT-23
21+
-
全新原装，公司现货

MMBD6050LT1G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ON
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

MMBD6050LT1G
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
5957
Onsemi
集成电路
20+
-
进口原装正品，服务VIP

MMBD6050LT1G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
ON SEMICONDUCTOR
主营优势
1915
-
100%原装正品★终端免费供样★

MMBD6050LT1G
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
21000
ONS
ORIGONAL
16+
-
0.01534 USD,szpoweri...

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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

MMBD6050LT1G 技术参数

MMBD4448W-7 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HW-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HT-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HSDW-7 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货二极管配置:2 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 MMBD4448H-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 MMBD7000-E3-08 MMBD7000-E3-18 MMBD7000-G3-08 MMBD7000-G3-18 MMBD7000HC-7-F MMBD7000-HE3-08 MMBD7000-HE3-18 MMBD7000HS-7-F MMBD7000LT1 MMBD7000LT1G MMBD7000LT1HTSA1 MMBD7000LT3 MMBD7000LT3G MMBD7000-TP MMBD701LT1 MMBD701LT1G MMBD701LT3G MMBD717LT1

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