MMBT2907ALT1G全国供应商 MMBT2907ALT1G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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型号
供应商
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封装
批号
价格
说明
操作

MMBT2907ALT1G
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
ON
22+
-
原装正品

MMBT2907ALT1G
深圳市粤科源兴科技有限公司
深圳市粤科源兴科技有限公司
联系人：谢先生
电话：13392885468
地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室
资质：营业执照
10000
ON
SOT-23-3
11+
-
原装正品，价格优势

MMBT2907ALT1G
好货芯城
好货芯城
联系人：连先生
电话：0755-23947614400-6606-101
地址：华强北街道华强广场C座22K室
资质：营业执照
0
-

MMBT2907ALT1G
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
原厂原装
21+
-
只做原装正品

MMBT2907ALT1G
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
15000
ON SEMICONDUCTOR
*
1806
-
只做原装正品现货价格优势 QQ咨询

MMBT2907ALT1G
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
439144
Onsemi
集成电路
20+
-
进口原装正品，服务VIP

MMBT2907ALT1G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
ON SEMICONDUCTOR
主营优势
1904
-
100%原装正品★终端免费供样★

MMBT2907ALT1G
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
1127819
ONS
ORIGONAL
16+
-
0.00826 USD,szpoweri...

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功能描述
两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MMBT2907ALT1G 技术参数

MMBT2907A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBT2222A,215 功能描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:MMBT2222A 标准包装:1 MMBT2222A 功能描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:270MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBD7000-7 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 75V 300mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 MMBD4448W-7 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBT2907-D87Z MMBT3416 MMBT3416LT3G MMBT3640 MMBT3640_D87Z MMBT3646 MMBT3702 MMBT3904 MMBT3904 RFG MMBT3904,215 MMBT3904_D87Z MMBT3904_NL MMBT3904-7 MMBT3904-7-F MMBT3904FA-7B MMBT3904FZ-7B MMBT3904-G MMBT3904-HF