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MRF141

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  • 功能描述
  • 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
  • RoHS
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • 频率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 输出功率
  • 100 W
  • 汲极/源极击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 闸/源击穿电压
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • NI-780-4
  • 封装
  • Tray
MRF141 技术参数
  • MRF140 功能描述:FET RF 65V 150MHZ 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 频率:30MHz ~ 150MHz 增益:6dB ~ 15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA 功率 - 输出:150W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:10 MRF13750HR5 功能描述:RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:700MHz ~ 1.3GHz 增益:20.6dB 电压 - 测试:50V 额定电流:10μA 噪声系数:- 功率 - 输出:650W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230H-4S 标准包装:1 MRF13750H-915MHZ 功能描述:MRF13750H-915MHZ 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:700MHz ~ 1.3GHz 增益:20.6dB 电压 - 测试:50V 额定电流:10μA 噪声系数:- 功率 - 输出:650W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230H-4S 标准包装:1 MRF137 功能描述:FET RF 65V 400MHZ 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 频率:150MHz ~ 400MHz 增益:7.7dB ~ 16dB 电压 - 测试:28VDC 额定电流:5A 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:25mA 功率 - 输出:30W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07,2 型 标准包装:20 MRF136Y 功能描述:FET RF 65V 400MHZ 319B-02 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 频率:400MHz 增益:14dB 电压 - 测试:28VDC 额定电流:5A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:25mA 功率 - 输出:30W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:319B-02 供应商器件封装:319B-02,1 型 标准包装:10 MRF14-CON(M2) MRF14-CON(MC) MRF14-J/P-088/SO-MD MRF14-J-088NM-1 MRF14-P-088/RE-MD MRF14-P-088NM-1 MRF150 MRF151 MRF1511NT1 MRF1513NT1 MRF1517NT1 MRF1518NT1 MRF151A MRF151G MRF1535FNT1 MRF1535NT1 MRF154 MRF1550FNT1
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