型号: | MAP5K30ATR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
封装: | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 187K |
代理商: | MAP5K30ATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MAP5KE12CAE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
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MAP5KE26CE3 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MAP5KE100A | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):100V 电压 - 击穿(最小值):111V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):3.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 |
MAP5KE100AE3 | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):100V 电压 - 击穿(最小值):111V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):3.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 |
MAP5KE100CA | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):100V 电压 - 击穿(最小值):111V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):3.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 |
MAP5KE100CAE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 |
MAP5KE10A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIR DO-41 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC DO41 |