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参数资料
| 型号： | ISL9021IIMZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 3V .25A 4-WLCSP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 3V |
| 输入电压： | 最高 5.5V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.15V @ 250mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 250mA（最小） |
| 电流 - 限制（最小）： | 260mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 4-WLCSP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL9021
Typical Operating Performance (Continued)
3.50
3.45
1.05
1.00
3.40
3.35
+25°C
+85°C
0.95
0.90
+25°C
+85°C
3.30
0.85
3.25
3.20
3.15
3.10
3.05
-40°C
0.80
0.75
0.70
0.65
-40°C
3.00
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.60
0
50
100
150
200
250
300
V IN (V)
FIGURE 7. LINE REGULATION vs TEMPERATURE
(V OUT = 3.3V)
Io (mA)
FIGURE 8. LOAD REGULATION vs TEMPERATURE
(V OUT = 0.9V)
V IN = 2.7V
1.00
V OUT = 1.85V
C OUT = 1μF
0.95
+25°C
V OUT
+85°C
0.90
0.85
-40°C
0.80
0.75
I OUT
0.70
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
I OUT = 1mA TO 250mA
V IN (V)
FIGURE 9. LINE REGULATION vs TEMPERATURE
(V OUT = 0.9V)
V IN = 2.7V
FIGURE 10. LOAD TRANSIENT RESPONSE
V OUT
I OUT
V OUT = 1.85V
I OUT = 1mA TO 250mA
C OUT = 4.7μF
FIGURE 11. LOAD TRANSIENT RESPONSE
5
FIGURE 12. ENABLE FUNCTION (V IN = 3.6V, V OUT = 1.85V,
C OUT 1μF)
FN6867.2
January 14, 2010
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-2TX-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W |
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| T86C335K035EBSS | CAP TANT 3.3UF 35V 10% 2312 |
| WSU060-3000 | POWER SUPPLY 100-240V 3000MA |
| FSM15DSEI | CONN EDGECARD 30POS .156 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC1413BDG | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
| MC1413BDR2 | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BDR2G | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BDR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16 |
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