参数资料
型号: MCH6121
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 300 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MCPH6, 6 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 240K
代理商: MCH6121
MCH6121
No. A1286-2/4
1 : Collector
2 : Collector
3 : Base
4 : Emitter
5 : Collector
6 : Collector
SANYO : MCPH6
2.0
0.
25
1.
6
2.
1
0.
25
0.
85
0.3
0.65
0.15
0 t o 0.02
0.
07
65
4
12
3
65
4
12
3
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB= -12V, IE=0A
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB= -4V, IC=0A
-0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE= -2V, IC= -500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE= -2V, IC= -500mA
380
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB= -10V, f=1MHz
40
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC= -1.5A, IB= -30mA
-110
-165
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC= -1.5A, IB= -30mA
-0.85
-1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC= -10μA, IE=0A
-15
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC= -1mA, RBE=∞
-12
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE= -10μA, IC=0A
-5
V
Turn-On Time
ton
See specied Test Circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specied Test Circuit.
90
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
14
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7022A-007
VR
1kΩ
VCC= --5V
VBE=5V
--20IB1=20IB2=IC=--1.5A
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
220μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.1%
IB2
IT04544
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
--2.0
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
--1.8
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
--12mA
--16mA
--14mA
IB=0mA
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IT04545
0
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
VCE=--2V
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
相关PDF资料
PDF描述
MCH6122 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6122 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6201 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6101 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6101 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MCH6121-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 12V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MCH6122 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Amplifier
MCH6122-TL-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 3A 30V - Tape and Reel
MCH6122-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MCH6123 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications