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参数资料
| 型号： | MCH6601 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | MCH6601 |
MCH6601
No.6458-3/4
SW Time -- ID
IS -- VSD
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--0.01
--0.1
5
3
2
7
5
3
2
VGS=0V
IT00085
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--0.01
23
5
7
10
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
1000
100
IT00086
VDD= --15V
VGS= --4V
tf
tr
td(off)
td(on)
RDS(on) -- ID
RDS(on) -- VGS
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
yfs -- ID
RDS(on) -- ID
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Drain Current, ID -- A
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Drain Current, ID -- A
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Ambient Temperature, Ta --
°C
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
--0.01
1.0
--0.1
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
VGS= --2.5V
--0.0001
--0.001
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
23
5
7
VGS= --1.5V
IT00081
IT00082
--25
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
Ta=75
°C
25
°C
--0.01
0.01
--0.1
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
3
2
7
5
3
2
VDS= --10V
--60
4
2
--40
6
--20
8
10
0
12
14
20
40
16
60
18
80
100
120
140
160
I D
= -
-30mA,
V GS
= -
-2.5V
I D
= --50mA,
V GS
= --4.0V
IT00083
IT00084
Ta= -
-25°C
75°C
0
--1
--2
--3
5
--4
10
--5
15
20
25
--6
30
--7
--8
--9
--10
Ta=25
°C
--0.01
1.0
--0.1
23
5
7
23
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
VGS= --4V
IT00079
IT00080
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
ID= --30mA
--50mA
25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6601 | 200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6602 | 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6602 | 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6603 | 140 mA, 50 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6604 | 250 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6601_06 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6601_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6601-TL-E | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6602 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH6602_07 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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