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参数资料
| 型号： | IDT70V657S15BF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1.125M（32K x 36） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V657S15BF |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
70V659/58/57S10
Com'l Only
70V659/58/57S12
Com'l
& Ind
70V659/58/57S15
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
BUSY Disable to Valid Data
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
t APS
t BDD
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Access Time from Chip Enable Low
BUSY Disable Time from Chip Enable High
Arbitration Priority Set-up Time (2)
(3)
____
____
____
____
5
____
10
10
10
10
____
10
____
____
____
____
5
____
12
12
12
12
____
12
____
____
____
____
5
____
15
15
15
15
____
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t WH
Write Hold After BUSY
(5)
8
____
10
____
12
____
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
8
____
____
0
10
____
____
0
12
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
t DDD
Write Pulse to Data Delay (1)
Write Data Valid to Read Data Delay (1)
____
____
22
20
____
____
25
22
____
____
30
25
ns
ns
NOTES:
4869 tbl 14
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of the Max. spec, t WDD – t WP (actual), or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
15
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP6442T-E/MNY | 功能描述:运算放大器 - 运放 450 nA, 9 kHz Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6442T-E/MS | 功能描述:运算放大器 - 运放 450 nA, 9 kHz Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6442T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 450 nA, 9 kHz Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6444-E/SL | 功能描述:运算放大器 - 运放 450 nA, 9 kHz Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6444-E/SL | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Le 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, OP-AMP |
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