MG1608-101Y
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制造商:Bourns Inc.
描述:BEAD FERRITE 100 OHM 200MA 1608
RoHS:无铅 / 符合
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产品分类 滤波器 >> 铁氧体磁珠和芯片 描述 BEAD FERRITE 100 OHM 200MA 1608
标准包装 4,000 系列 MG
频率对应阻抗 100 欧姆 @ 100MHz
额定电流 200mA
DC 电阻(DCR) 最大 250 毫欧
滤波器类型 差模 - 单线
封装/外壳 0603(1608 公制)
安装类型 表面贴装
包装 带卷 (TR)
高度(最大) 0.039"(1.00mm)
尺寸/尺寸 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
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型号 GME10701 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Sprague-Goodman 描述 CAP TRIMMER 350-1180PF 250V PNL
标准包装 25 系列 -
电容范围 350 ~ 1180pF
调节型 顶部和底部调节
电压 - 额定 250V
尺寸/尺寸 长方形 - 0.937" L x 0.874" W(23.80mm x 22.20mm)
高度 - 座高(最大) 0.344"(8.73mm)
安装类型 面板安装
特点 通用
包装 散装
型号 SK010DRP 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Littelfuse Inc 描述 SCR SMT NON-ISOLATE 1KV 10A DPAK
标准包装 2,500 系列 -
SCR 型 标准恢复型
电压 - 断路 1000V
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大) 1.5V
电压 - 导通状态 (Vtm)(最大) 1.6V
电流 - 导通状态 (It (AV))(最大) 6.4A
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 10A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 15mA
电流 - 维持(Ih) 30mA
电流 - 断开状态(最大) 20µA
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 83A,100A
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 TO-252,(D-Pak)
包装 带卷 (TR)
其它名称 SK010D RP
型号 AON6458 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc 描述 MOSFET N CH 250V 14A DFN5X6
标准包装 3,000 系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 170 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1240pF @ 25V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装 8-DFN-EP(5x6)
包装 带卷 (TR)
其它名称 785-1363-2
型号 170564J250ME 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 描述 CAP FILM 0.56UF 250VDC AXIAL
标准包装 500 系列 170
电容 0.56µF
额定电压 - AC 200V
额定电压 - DC 250V
电介质材料 聚丙烯,金属化
容差 ±5%
ESR(等效串联电阻) 33 毫欧
工作温度 -55°C ~ 105°C
安装类型 通孔
封装/外壳 轴向
尺寸/尺寸 0.472" 直径 x 1.102" L(12.00mm x 28.00mm)
高度 - 座高(最大) -
端子 PC 引脚
引线间隔 -
特点 低 ESR
应用 -
包装 散装
型号 S8012DRP 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Littelfuse Inc 描述 SCR NON-SENS 800V 12A TO-252AA
产品目录绘图 TO-252AA, DPAK
标准包装 1
系列 - SCR 型 标准恢复型
电压 - 断路 800V
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大) 1.5V
电压 - 导通状态 (Vtm)(最大) 1.6V
电流 - 导通状态 (It (AV))(最大) 7.6A
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 12A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 20mA
电流 - 维持(Ih) 40mA
电流 - 断开状态(最大) 20µA
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 100A,120A
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 TO-252,(D-Pak)
包装 标准包装
其它名称 S8012DDKR
型号 MU3261-202Y 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Bourns Inc. 描述 BEAD FERRITE 2000 OHM 100MA 3216
标准包装 3,000 系列 MU
频率对应阻抗 2 千欧 @ 100MHz
额定电流 100mA
DC 电阻(DCR) 最大 600 毫欧
滤波器类型 差模 - 单线
封装/外壳 1206(3216 公制)
安装类型 表面贴装
包装 带卷 (TR)
高度(最大) 0.051"(1.30mm)
尺寸/尺寸 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
型号 SG-636PCE 6.0000MC0 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 EPSON 描述 OSCILLATOR 6.0000MHZ SMD
产品目录绘图 SG636PCE Series Side 1
SG636PCE Series Side 2
SG636PCE Series Top
SG636PCE Series Footprint
标准包装 1
系列 SG636 类型 XO(标准)
频率 6MHz
功能 三态(输出启用)
输出 CMOS
电源电压 3.3V
频率稳定性 ±100ppm
工作温度 -20°C ~ 70°C
电流 - 电源(最大) 9mA
额定值 -
安装类型 表面贴装
尺寸/尺寸 0.413" L x 0.197" W(10.50mm x 5.00mm)
高度 0.106"(2.70mm)
封装/外壳 4-SOJ,5.08mm 间距
包装 剪切带 (CT)
电流 - 电源(禁用)(最大) 5mA
其它名称 SE2812CT
SG-636PCE-6.0000MC
型号 BTA10-600CRG 数量 2,001
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 STMicroelectronics 描述 IC TRIAC 10A 600V INSUL TO-220AB
其它有关文件 BTA10 View All Specifications
产品目录绘图 BTA, T, ACS Series TO-220AB
标准包装 50 系列 -
三端双向可控硅开关类型 标准
电压 - 断路 600V
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 10A
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大) 1.3V
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 100A,105A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 25mA
电流 - 维持(Ih) 25mA
配置 单一
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1555 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-7185-5
BTA10-600CRG-ND
型号 GMC30600 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Sprague-Goodman 描述 CAP TRIMMER 56-250PF 175V TH
标准包装 100 系列 -
电容范围 56 ~ 250pF
调节型 顶部调节
电压 - 额定 175V
尺寸/尺寸 长方形 - 0.752" L x 0.375" W(19.10mm x 9.53mm)
高度 - 座高(最大) 0.780"(19.80mm)
安装类型 通孔
特点 通用
包装 散装
其它名称 Q2086567
Q2818345
型号 IPD127N06L G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 滤波器 产品分类 铁氧体磁珠和芯片
制造商 Infineon Technologies 描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 OptiMOS™ FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 12.7 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2300pF @ 30V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 IPD127N06LGINDKR