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参数资料
| 型号： | MG800J2YS50A |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-11 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | MG800J2YS50A |
MG800J2YS50A
2004-10-01
8/9
C – VCE
Rth (t) – tw
Collector-emitter voltage
VCE
(V)
Pulse width
tw (s)
C
apacit
anc
e
C
(p
F)
Col
lect
o
rcur
re
n
t
I C
(A
)
Collector-emitter voltage
VCE
(V)
Reverse bias SOA
C
o
llect
or
c
u
rre
nt
I C
(
A
)
Collector-emitter voltage
VCE
(V)
Scsoa
Common emitter
VGE = 0
f
= 1 MHz
Tj = 25°C
100
1000000
1000
0
100000
100
1
10
1000
10000
Ciss
Coss
Crss
Tc
= 25°C
0.001
10
0.001
1
0.01
0.1
0.01
0.1
Diode stage
Transistor stage
1
800
0
10000
600
200
400
10
100
1000
Tj <= 125°C
VGE = ±15 V
RG = 4.7
1
800
0
10000
600
200
400
10
100
1000
Common emitter
VCC = 300 V
Tj <
= 125°C
tw = 10 s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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