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BSN20,115 全新原装 NXP/Nexperia

柯先生 | 2225 天前 10:46 | 阅读(79)
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）173mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）25pF @ 10V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）830mW（Tc）

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