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晶体管 FDP2710 FET

唐小姐/王先生 | 2163 天前 15:40 | 阅读(218)
FDP2710介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 101nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 260W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 42.5 毫欧 @ 25A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器

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