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柯先生 | 2138 天前 14:57 | 阅读(92)
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.8V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）2.8nC @ 7V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）68pF @ 25V
FET 功能耗尽模式
功率耗散（最大值）360mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

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