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晶体管 PHD38N02LT 半导体产品

唐小姐/王先生 | 2052 天前 11:50 | 阅读(113)
PHD38N02LT介绍：
描述 MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
制造商标准提前期 16 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 44.7A（Tc） 57.6W（Tc） DPAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 TrenchMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 44.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15.1nC @ 5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 57.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK

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