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SIA448DJ-T1-GE3

林小姐//方先生 | 1968 天前 14:51 | 阅读(337)
型号:SIA448DJ-T1-GE3
品牌:VISHAY
封装:SC70

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 15 毫欧 @ 12.4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 8V Vgs(最大值) ±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1380pF @ 1V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

全新原装 正品现货 深圳市柏新电子科技有限公司 联系人:陈小姐 联系方式:0755-61352209/QQ2851099672/13926551329 地址:深圳市福田区中航路都会B座31G 欢迎来bom表配单 更多型号可随时联系我

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