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ZXM61N03FTA DIODES INCORPORATED

韩冰 | 1683 天前 09:10 | 阅读(234)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）220 毫欧 @ 910mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）4.1nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）150pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）625mW（Ta）

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