型号: | MMBZ5267-V-G-18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 75 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN PACKAGE-3 |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 78K |
代理商: | MMBZ5267-V-G-18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMTZJ11C-BP | 11.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ27A-TP | 24.89 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ36B-AP | 33.64 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ6.8C-AP | 6.83 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MA15KP110CTR | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5268BLT1 | 功能描述:稳压二极管 82V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5268BLT1G | 功能描述:稳压二极管 82V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5270BLT1 | 功能描述:稳压二极管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5270BLT1G | 功能描述:稳压二极管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5V6AL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL TVS UN 40W 3V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3V; Breakdown Voltage Min:5.32V; Breakdown Voltage Max:5.88V; Clamping Voltage Vc Max:8V; Peak Pulse Current Ippm:3A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |