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参数资料
| 型号： | MMSZ5256-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | MMSZ5256-TP |
MMSZ5221 thru MMSZ5259
M C C
www.mccsemi.com
ZENER VOLTAGE V.S. ZENER CURRENT
TYPICAL LEAKGE CURRENT
90
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
LEAKAGE
CURRENT
(
A
)
m
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Vlots
+150 C
O
+25 C
O
-55 C
O
12
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
ZENER
CURRENT
,
mA
ZENER VOLTAGE, Volts
T =25 C
A
o
100
10
1
0.1
0.01
10
30
50
70
90
T =25 C
A
o
ZENER VOLTAGE, Volts
ZENER VOLTAGE V.S. ZENER CURRENT
ZENER
CURRENT
,
mA
TM
Micro Commercial Components
4 of 5
Revision: A
2011/01/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURB820TRRPBF | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MX1N6077US | 1.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR400100CT | 200 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MB504-BP | 50 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MA1.5KE10ATRE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5257B | 功能描述:稳压二极管 33V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5257B RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 33V 5% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |
| MMSZ5257B_Q | 功能描述:稳压二极管 33V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5257B-7 | 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5257B-7-F | 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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