型号: | MMSZ5256-TP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 335K |
代理商: | MMSZ5256-TP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MURB820TRRPBF | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MX1N6077US | 1.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MBR400100CT | 200 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MB504-BP | 50 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MA1.5KE10ATRE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ5257B | 功能描述:稳压二极管 33V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5257B RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 33V 5% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |
MMSZ5257B_Q | 功能描述:稳压二极管 33V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5257B-7 | 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5257B-7-F | 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |