参数资料
| 型号： | MMT05B260T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRIST TSPD BIDIR 50A 200V SMB |
| 产品变化通告： | TSPD Discontinuation 30/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 320V |
| 电压 - 断路： | 200V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 150A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 75pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMT05B260T3GOSCT |
MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05B310T3
380
360
1000
900
340
320
300
280
260
240
220
MMT05B310T3
MMT05B260T3
MMT05B230T3
800
700
600
500
400
300
200
200
? 50
? 2 5
0
25
50
75
100
125
100
? 50
?25
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Breakover Voltage versus Temperature
t r = rise time to peak value
100
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Holding Current versus Temperature
100
50
Peak
Value
t f = decay time to half value
Half Value
10
0
0 t r
t f
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
TIME ( m s)
Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform
TIME (sec)
Figure 6. Peak Surge On?State Current versus
Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform
TIP
OUTSIDE
PLANT
RING
GND
http://onsemi.com
4
TELECOM
EQUIPMENT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBC33SBBN | CONN HEADER .100 SINGL R/A 33POS |
| TPSMP8.2AHE3/84A | TVS 300W 8.2V 5% UNDIR DO220AA |
| MMS-118-02-L-SH | CONN RCPT 2MM 18POS SGL HORZ SMD |
| PBC30SADN | CONN HEADER .100 SINGL STR 30POS |
| PEC30SFDN | CONN HEADER .100 SINGL STR 30POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMT05B310T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B310T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B350T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B350T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT08B064T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 64V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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