参数资料
型号: MMT05B260T3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: THYRIST TSPD BIDIR 50A 200V SMB
产品变化通告: TSPD Discontinuation 30/May/2012
标准包装: 1
电压 - 击穿: 320V
电压 - 断路: 200V
电压 - 导通状态: 3V
电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs): 150A
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 50A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 1
电容: 75pF
封装/外壳: DO-214AA,SMB
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MMT05B260T3GOSCT
MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05B310T3
PPTC*
TIP
OUTSIDE
PLANT
GND
TELECOM
EQUIPMENT
RING
PPTC*
*Polymeric PTC (positive temperature coefficient) overcurrent protection device
HEAT COIL
TIP
OUTSIDE
PLANT
RING
ORDERING INFORMATION
Device
MMT05B230T3
MMT05B230T3G
MMT05B260T3
MMT05B260T3G
MMT05B310T3
MMT05B310T3G
HEAT COIL
GND
Package
SMB
SMB
(Pb?Free)
SMB
SMB
(Pb?Free)
SMB
SMB
TELECOM
EQUIPMENT
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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PDF描述
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参数描述
MMT05B310T3 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT05B310T3G 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT05B350T3 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT05B350T3G 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
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