型号: | MPSW42RLRE |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 92K |
代理商: | MPSW42RLRE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBF5461 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
MPSW45ARL | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPSL51RL | 600 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6651RL | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MGF1403-61-23 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSW45 | 功能描述:达林顿晶体管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MPSW45_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
MPSW45A | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MPSW45AG | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MPSW45AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 50V TO-92 |