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参数资料
| 型号： | MRF6S21100HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 671K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
η
16 27DD
= 28 Vdc
D
Pout
= 23 W (Avg.)
2200
15
16.2
2080
?44
28
IRL
Gps
ACPR?L
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 23 Watts Avg.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15.2 ?42
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
?40
?10
?20
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?30
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
15.8 ?362?Carrier W?CDMA10 MHz Carrier Spacing
15.6 ?38
15.4 ?40IM3?L
2100 2120 2140 2160 2180
IDQ
= 950 mA
ηD
2200
14.4
15.6
2080
?30
44
15 ?24IRL
3.84 MHz Channel Bandwidth
IM3?L
Gps
14.6 ?28
ACPR?U
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 55 Watts Avg.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
?40
?10
?20
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?30
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
15.4 42VDD
= 28 Vdc
15.2 40IDQ
= 950 mA
14.8 ?26IM3?U
2100 2120 2140 2160 2180
Pout
= 55 W (Avg.)
2?Carrier W?CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
300
13.5
17.5
1
IDQ
= 1450 mA
1200 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
450 mA
700 mA
950 mA
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
100
10
100
?55
?20
1
IDQ
= 450 mA
700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
950 mA
1450 mA
1200 mA
?25
?30
?35
?40
?45
?50
10
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
IM3?U
ACPR?U
ACPR?L
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