型号: | MTZJT-773.6A |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 186K |
代理商: | MTZJT-773.6A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSZ3V3T1T3 | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MA45226A-96 | X BAND, 0.57 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MA45227A-31 | X BAND, 0.8 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MA46604-118 | L-KA BAND, 0.84 pF, 30 V, GALLIUM ARSENIDE, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MA46601-128 | L-KA BAND, 0.45 pF, 30 V, GALLIUM ARSENIDE, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTZJT-7736B | 功能描述:稳压二极管 36V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJT-7736C | 功能描述:稳压二极管 36V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJT-7739B | 功能描述:稳压二极管 39V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJT-7739C | 功能描述:稳压二极管 39V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJT-7739D | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |