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参数资料
| 型号： | MUN5215T1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | MUN5215T1 |
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5213T1
V
I
h
Figure 12. VCE(sat) versus IC
0
2
4
6
8
10
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
Figure 13. DC Current Gain
Figure 14. Output Capacitance
100
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
100
101
100
25
°
C
75
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
0
20
40
50
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
25
°
C
75
°
C
VC
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB = 10
TA= –25
°
C
TA= –25
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MUN5216 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
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| MUN5216DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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