型号: | MXSMBJ2K4.0 |
厂商: | MICROSEMI CORP-IRELAND |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 306K |
代理商: | MXSMBJ2K4.0 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBRF30100CT | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBR1660 | 16 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MBR20200DC | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRS15100CT | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MBRS20150CT | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MXSMBJ2K5.0 | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):5.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:7.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MXSMBJ2K5.0E3 | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):5.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:7.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MXSMBJ30A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |
MXSMBJ30AE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |
MXSMBJ30CA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |