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NAND01GW3A0AN6T

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  • NAND01GW3A0AN6T
    NAND01GW3A0AN6T

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8323763213302457603

    地址:福田区振兴路华匀大厦221室

  • 56912

  • STMicroelectronics

  • IC 128M X 8 FLASH 3V

  • 23+

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GW3A0AN6T 技术参数
  • NAND01GW3A0AN6E 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GR3B2CZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 NAND01GR3B2BZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ NAH-30-472 功能描述:POWER LINE FILTERS,SINGLE PHASE, 制造商:cosel usa, inc. 系列:NAH 零件状态:在售 滤波器类型:单相 配置:单级 电压 - 额定 DC:250V 电压 - 额定 AC:250V 电压 - 额定 AC(相对地/相对中性点):250V 电流:30A 频率 - 工作:- 应用:通用 认可:cURus,VDE 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:底座安装 端子类型:端接块 电感:- 标准包装:1 NAH-20-472 功能描述:POWER LINE FILTERS,SINGLE PHASE, 制造商:cosel usa, inc. 系列:NAH 零件状态:在售 滤波器类型:单相 配置:单级 电压 - 额定 DC:250V 电压 - 额定 AC:250V 电压 - 额定 AC(相对地/相对中性点):250V 电流:20A 频率 - 工作:- 应用:通用 认可:cURus,VDE 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:底座安装 端子类型:端接块 电感:- 标准包装:1 NAND02GAH0LZC5E NAND02GR3B2DN6E NAND02GR3B2DZA6E NAND02GW3B2AN6F NAND02GW3B2DN6E NAND02GW3B2DZA6E NAND04GR3B2DN6E NAND04GW3B2DN6E NAND04GW3C2BN6E NAND08GAH0BZA5E NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F
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