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NAND512W3A2SE06

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  • NAND512W3A2SE06
    NAND512W3A2SE06

    NAND512W3A2SE06

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖先生

    电话:13612973190

    地址:广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 9000

  • Micron

  • -

  • 22+

  • -
  • 原厂渠道,现货配单

  • NAND512W3A2SE06
    NAND512W3A2SE06

    NAND512W3A2SE06

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Micron Technology Inc.

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十

  • NAND512W3A2SE06
    NAND512W3A2SE06

    NAND512W3A2SE06

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • ST

  • NA

  • 18+

  • -
  • 原装正品,欢迎订购

  • NAND512W3A2SE06
    NAND512W3A2SE06

    NAND512W3A2SE06

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1500

  • Micron Technology Inc.

  • 带卷(TR)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • NAND512W3A2SE06
    NAND512W3A2SE06

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 制造商
  • Micron Technology Inc
  • 功能描述
  • NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A2SE06 技术参数
  • NAND512W3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) NAND512W3A2DN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) NAND512W3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ NAND512W3A2CN6E 功能描述:闪存 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND512W3A2BZA6E 功能描述:闪存 MEDIA FLSH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NANO_FIB_BOX_2.0 NANO_FIBER_DEMO_1MM NANO_FIBER_DEMO_HDMI NANO100KC2BN NANO100KD2BN NANO100KD3BN NANO100KE3BN NANO100LC2BN NANO100LD2BN NANO100LD3BN NANO100LE3BN NANO100NC2BN NANO100ND2BN NANO100ND3BN NANO100NE3BN NANO100SC2BN NANO100SD2BN NANO100SD3BN
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