NCP349GEVB

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

NCP349GEVB
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
15+
-
原装正品，假一罚十

NCP349GEVB
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

NCP349GEVB
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2600
原厂原装
原厂原装
24+
-
授权代理商

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功能描述
电源管理IC开发工具 POSITIVE OVP EVB
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
产品
Evaluation Kits
类型
Battery Management
工具用于评估
MAX17710GB
输入电压
输出电压
1.8 V

NCP349GEVB 技术参数

NCP3488DR2G 功能描述:功率驱动器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP3420MNR2G 功能描述:功率驱动器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP3420DR2G 功能描述:功率驱动器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP341MUTBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Controlled Load Switch Soft-Start NCP3418DR2G 功能描述:功率驱动器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP360MUTBG NCP360MUTXG NCP360SNAET1G NCP360SNAFT1G NCP360SNAIT1G NCP360SNT1G NCP361MUTBG NCP361SNT1G NCP362GEVB NCP367DPMUEBTBG NCP367DPMUECTBG NCP367DPMUEETBG NCP367DPMUELTBG NCP367OPMUEATBG NCP367OPMUEOTBG NCP370GEVB NCP370MUAITXG NCP3712ASNT1