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NCP349MNAETBG DFN6

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NCP349MNAETBG DFN6
深圳廊盛科技有限公司
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电话：18229386512微信同号
地址：上步工业区501栋410室
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ON/安森美
DFN6
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NCP349MNAETBG DFN6 技术参数

NCP349MNAETBG 功能描述:电压监测器/监控器 POSITIVE OVP RoHS:否制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT NCP3488DR2G 功能描述:功率驱动器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP3420MNR2G 功能描述:功率驱动器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP3420DR2G 功能描述:功率驱动器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP341MUTBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Controlled Load Switch Soft-Start NCP360MUTXG NCP360SNAET1G NCP360SNAFT1G NCP360SNAIT1G NCP360SNT1G NCP361MUTBG NCP361SNT1G NCP362GEVB NCP367DPMUEBTBG NCP367DPMUECTBG NCP367DPMUEETBG NCP367DPMUELTBG NCP367OPMUEATBG NCP367OPMUEOTBG NCP370GEVB NCP370MUAITXG NCP3712ASNT1 NCP3712ASNT1G