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NE5520279A-T1-A

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
NE5520279A-T1-A PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power
  • RoHS
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • 频率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 输出功率
  • 100 W
  • 汲极/源极击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 闸/源击穿电压
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • NI-780-4
  • 封装
  • Tray
NE5520279A-T1-A 技术参数
  • NE5517NG 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube NE5517N 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube NE5517DR2G 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube NE5517DR2 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube NE5517DG 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube NE5532AD8 NE5532AD8G NE5532AD8R2 NE5532AD8R2G NE5532ADE4 NE5532ADR NE5532ADRE4 NE5532ADRG4 NE5532AN NE5532ANG NE5532AP NE5532APE4 NE5532APG4 NE5532APSR NE5532APSRE4 NE5532D NE5532D8G NE5532D8R2
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