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NE5820M53-T1-A

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NE5820M53-T1-A 技术参数
  • NE57814DD,518 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR TERMINATOR REG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L NE57811S/N1,518 功能描述:线性稳压器 - 标准 PWR DBL DATA RATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L NE57811S/G,518 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR Memory Terminat Power 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L NE57811S,518 功能描述:线性稳压器 - 标准 PWR DBL DATA RATE TERMINATOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L NE57810S/N1,518 功能描述:静态随机存取存储器 PWR DBL DATA RATE RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray NE592D8R2 NE592D8R2G NE592N14 NE592N14G NE592N8 NE592N8G NE6 NE650103M-A NE6510179A-A NE6510179A-EVPW19 NE6510179A-EVPW24 NE6510179A-EVPW26 NE6510179A-EVPW35 NE6510179A-T1-A NE651R479A-A NE651R479A-EVPW19 NE651R479A-EVPW24 NE651R479A-EVPW35
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