NID60S24-5

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NID60S24-5 技术参数

NID6002NT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V HD+ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NID6002NT4 功能描述:MOSFET NFET 60V HD+ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NID5004NT4G 功能描述:功率驱动器IC POWER MICROINTEGRAT RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NID5003NT4G 功能描述:MOSFET 42V 20A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NID5003NT4 功能描述:MOSFET 42V 20A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF5002NT3G NIF5003NT1 NIF5003NT1G NIF5003NT3 NIF5003NT3G NIF62514T1 NIF62514T1G NIF62514T3G NIF9N05CLT1 NIF9N05CLT1G NIF9N05CLT3 NIF9N05CLT3G NILMS4501NR2 NILMS4501NR2G NIMD6001ANR2G NIOS-DEVKIT-1S10 NIS1050MNTBG NIS1161MTTAG