NLV32T-2R7J-EFD

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说明
操作

NLV32T-2R7J-EFD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

NLV32T-2R7J-EFD
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1647
TDK Corporation
1210（3225 公制）
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

NLV32T-2R7J-EFD
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
10000
TDK Corporation
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
2.7μH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
NLV-EFD
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
2.7μH
容差
±5%
额定电流
290mA
电流 - 饱和值
-
屏蔽
无屏蔽
DC 电阻（DCR）
1.1 欧姆最大
不同频率时的 Q 值
30 @ 7.96MHz
频率 - 自谐振
70MHz
等级
AEC-Q200
工作温度
-40°C ~ 105°C
频率 - 测试
7.96MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1210（3225 公制）
大小/尺寸
0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）
高度 - 安装（最大值）
0.094"（2.40mm）
标准包装
1

NLV32T-2R7J-EFD 技术参数

NLV32T-2R7J-EF 功能描述:2.7μH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.7μH 容差:±5% 额定电流:290mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:70MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:7.96MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.094"（2.40mm）标准包装:1 NLV32T-2R2J-PF 功能描述:2.2μH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±5% 额定电流:320mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:75MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:7.96MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.094"（2.40mm）标准包装:1 NLV32T-2R2J-EFD 功能描述:2.2μH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±5% 额定电流:320mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:75MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:7.96MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.094"（2.40mm）标准包装:1 NLV32T-2R2J-EF 功能描述:2.2μH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±5% 额定电流:320mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:75MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:7.96MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.094"（2.40mm）标准包装:1 NLV32T-271J-EFD 功能描述:270μH Unshielded Wirewound Inductor 45mA 28 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:270μH 容差:±5% 额定电流:45mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:28 欧姆最大不同频率时的 Q 值:20 @ 796kHz 频率 - 自谐振:6MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:796kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.094"（2.40mm）标准包装:1 NLV32T-331J-PFD NLV32T-390J-EF NLV32T-390J-EFD NLV32T-390J-PF NLV32T-390J-PFD NLV32T-391J-EF NLV32T-391J-EFD NLV32T-391J-PF NLV32T-391J-PFD NLV32T-3R3J-EF NLV32T-3R3J-EFD NLV32T-3R3J-PF NLV32T-3R3J-PFD NLV32T-3R9J-EF NLV32T-3R9J-EFD NLV32T-3R9J-PF NLV32T-3R9J-PFD NLV32T-470J-EF