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NOSWACE

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NOSWACE
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
14562
PHILIPS
DIP09
2024+
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代理商库房现货

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NOSWACE 技术参数

NOSW476M004R0150 功能描述:47μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 150 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:47μF 容差:±20% 电压 - 额定:4V ESR（等效串联电阻）:150 毫欧电流 - 漏泄:3.8μA 耗散因数:6% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2312（6032 公制）制造商尺寸代码:W 高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSW336M006R0250 功能描述:33μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 250 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:33μF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V ESR（等效串联电阻）:250 毫欧电流 - 漏泄:4μA 耗散因数:6% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2312（6032 公制）制造商尺寸代码:W 高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSV687M004R0075 功能描述:680μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2924 (7361 Metric) 75 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:680μF 容差:±20% 电压 - 额定:4V ESR（等效串联电阻）:75 毫欧电流 - 漏泄:54.4μA 耗散因数:14% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2924（7361 公制）制造商尺寸代码:V 高度 - 安装（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSV477M006R0075 功能描述:470μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2924 (7361 Metric) 75 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:470μF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V ESR（等效串联电阻）:75 毫欧电流 - 漏泄:56.4μA 耗散因数:12% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2924（7361 公制）制造商尺寸代码:V 高度 - 安装（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSV108M002R0050 功能描述:1000μF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2924 (7361 Metric) 50 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:1000μF 容差:±20% 电压 - 额定:2.5V ESR（等效串联电阻）:50 毫欧电流 - 漏泄:50μA 耗散因数:18% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2924（7361 公制）制造商尺寸代码:V 高度 - 安装（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSY337M001R0100 NOSY337M002R0100 NOSY337M004R0150 NOSY477M001R0100 NOSY686M006R0100 NOZ NP0.8-12 NP0080TAT1G NP0110500000G NP01105000J0G NP0115AG03LC NP0115AG03LCF NP0115AG03LCF-J01 NP0115AG03LCF-J02 NP0115AG03LCF-J04 NP0115AG03LCF-JB NP0115AG03LCF-JCF11 NP0115AG03LCF-JCF12