NP60N03KUG-E1-AY

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NP60N03KUG-E1-AY
上海鑫科润电子科技有限公司
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联系人：鑫科润
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地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Renesas Electronics Ameri
TO-263
17+
-
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NP60N03KUG-E1-AY
深圳市华芯盛世科技有限公司
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联系人：朱先生/李小姐
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功能描述
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

NP60N03KUG-E1-AY 技术参数

NP5Q128AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC NP5Q128A13ESFC0E 功能描述:128MBIT P5Q PCM HV 3V SOIC LF RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Omneo™ 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 NP5Q064AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC NP5Q032AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:27MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP60N055VUK-E1-AY N-P68 NP70N04MUG-S18-AY NP70N10KUF-E1-AY NP74N04YUG-E1-AY NP75N04YUG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY NP80N03KDE-E1-AY NP80N03KLE-E1-AY NP80N03MLE-S18-AY NP80N04KHE-E1-AY NP80N04MDG-S18-AY NP80N04MHE-S18-AY NP80N04MLG-S18-AY NP80N04NDG-S18-AY NP80N04NHE-S18-AY NP80N04NLG-S18-AY