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NR10050T2R1N-T

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NR10050T2R1N-T 技术参数
  • NR10050T2R1N 功能描述:2.1μH Shielded Wirewound Inductor 8.3A 10.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NR 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.1μH 容差:±30% 额定电流:8.3A 电流 - 饱和值:10A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):10.4 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:37MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.394" 长 x 0.386" 宽(10.00mm x 9.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 NR10050T221M 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 585 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NR 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:220μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):585 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:3MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.394" 长 x 0.386" 宽(10.00mm x 9.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 NR10050T220M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 58.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NR 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):58.5 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:10MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.394" 长 x 0.386" 宽(10.00mm x 9.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 NR10050T1R3N 功能描述:1.3μH Shielded Wirewound Inductor 9A 8.84 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NR 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.3μH 容差:±30% 额定电流:9A 电流 - 饱和值:11A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):8.84 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:53MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.394" 长 x 0.386" 宽(10.00mm x 9.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:10 NR10050T150M 功能描述:FIXED IND 15UH 3.2A 45.5 MOHM 制造商:taiyo yuden 系列:NR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:15μH 容差:±20% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):45.5 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:11MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.394" 长 x 0.386" 宽(10.00mm x 9.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 NR111D NR111E NR117K NR119E NR121E NR131A NR131S N-R150 N-R15A NR1-C NR1-M NR-23158-000 NR-23160-000 NR-25994-000 NR-25994-D42 NR-25994-D63 N-R25A NR2WH-L
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