NS10155T100MNV

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NS10155T100MNV
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Taiyo Yuden
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

NS10155T100MNV
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
3770
Taiyo Yuden
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

NS10155T100MNV
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：18998919871
地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602
1000
Taiyo Yuden
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
10μH Unshielded Wirewound Inductor 4.4A 24 mOhm Max Nonstandard
制造商
taiyo yuden
系列
NS
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
10μH
容差
±20%
额定电流
4.4A
电流 - 饱和值
4.49A
屏蔽
无屏蔽
DC 电阻（DCR）
24 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
20.2MHz
等级
AEC-Q200
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
100kHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
非标准
大小/尺寸
0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）
高度 - 安装（最大值）
0.230"（5.85mm）
标准包装
1

NS10155T100MNV 技术参数

NS10155T100MNA 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 4.4A 24 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±20% 额定电流:4.4A 电流 - 饱和值:4.49A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:24 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:20.2MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.230"（5.85mm）标准包装:1 NS10145T6R8NNV 功能描述:6.8μH Unshielded Wirewound Inductor 4.22A 27.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±30% 额定电流:4.22A 电流 - 饱和值:5.05A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:27.6 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:23.1MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.191"（4.85mm）标准包装:1 NS10145T6R8NNA 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 4.22A 24 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±30% 额定电流:4.22A 电流 - 饱和值:5.05A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:24 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:23.1MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.191"（4.85mm）标准包装:1 NS10145T681MNV 功能描述:680μH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.88 Ohm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680μH 容差:±20% 额定电流:420mA 电流 - 饱和值:500mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.88 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:2.3MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.191"（4.85mm）标准包装:1 NS10145T681MNA 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 420mA 1.884 Ohm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680μH 容差:±20% 额定电流:420mA 电流 - 饱和值:500mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.884 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:2.3MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.191"（4.85mm）标准包装:1 NS10155T3R3NNV NS10155T4R7NNA NS10155T4R7NNV NS10155T6R8NNA NS10155T6R8NNV NS10165T100MNA NS10165T100MNV NS10165T150MNA NS10165T150MNV NS10165T1R5NNA NS10165T1R5NNV NS10165T220MNA NS10165T220MNV NS10165T2R2NNA NS10165T2R2NNV NS10165T3R3NNA NS10165T3R3NNV NS10165T4R7NNA