NV120D14-F10

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NV120D14-F10 技术参数

NV11T000 功能描述:AC/DC CONVERTER 12V 180W 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:NV175 零件状态:有效类型:开放框架输出数:1 电压 - 输入:90 ~ 264 VAC 电压 - 输出 1:12V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电压 - 输出 4:- 电流 - 输出（最大值）:15A 功率（W）:180W 应用:ITE（商业）电压 - 隔离:4.3kV（4300V）效率:90% 工作温度:0°C ~ 70°C（有降额）特性:可调输出，远程开关，遥测安装类型:底座安装大小/尺寸:5.00" 长 x 3.00" 宽 x 1.25" 高（127.0mm x 76.2mm x 31.8mm）所需最小负载:无认可:CE 功率（W） - 最大值:180W 标准包装:1 NV11G000 功能描述:AC/DC CONVERTER 24V 180W 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:NV175 零件状态:有效类型:开放框架输出数:1 电压 - 输入:90 ~ 264 VAC 电压 - 输出 1:24V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电压 - 输出 4:- 电流 - 输出（最大值）:7.5A 功率（W）:180W 应用:ITE（商业）电压 - 隔离:4.3kV（4300V）效率:90% 工作温度:0°C ~ 70°C（有降额）特性:可调输出，远程开关，遥测安装类型:底座安装大小/尺寸:5.00" 长 x 3.00" 宽 x 1.25" 高（127.0mm x 76.2mm x 31.8mm）所需最小负载:无认可:CE 功率（W） - 最大值:180W 标准包装:1 NUS3116MTR2G 功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUS3065MUTAG 功能描述:监控电路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel NUS3046MNT1G 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NV1350TTC NV1350TTN NV1350TTNC NV1452FF NV1452FFC NV1452FFN NV1452FFNC NV1452TT NV1452TTC NV1452TTN NV1452TTNC NV1453FF NV1453FFC NV1453FFN NV1453FFN3 NV1453FFNC NV1453TT NV1453TTC