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NX302100

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NX302100
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
22
Aavid Thermalloy
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存

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制造商
Nuventix
功能描述
HEATSINK R150-170 CITIZEN
制造商
Nuventix
功能描述
Nuventix High-Bay LED Aluminum Heatsink Vosloh-Schwabe Panasonic Citizen CLL050

NX302100 技术参数

NX3020NAKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta），1.1W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 NX3020NAKV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 NX3020NAKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:230mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 NX3020NAKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3020NAK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX30H-68P/CK-MP(62) NX30H-68P/IDCU-MP NX30H-68P/IDCU-MP(01) NX30H-68P/IDCU-MP(31) NX30H-68P/IDCU-MP(61) NX30H-68P/IDCU-MP(62) NX30P6090UKZ NX30P6093AUKZ NX30TA-15GP NX30TA-15HC NX30TA-15HC(61) NX30TA-15HC(62) NX30TA-15HC1 NX30TA-15HC1(61) NX30TA-15HC1(62) NX30TA-15PAA NX30TA-15PAA(50) NX30TA-25GP