NCP511SN15

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NCP511SN15T1G
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
2434
Onsemi
集成电路
20+
-
进口原装正品，服务VIP

NCP511SN15
甄芯网
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联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
150
ON
153
04+
-
房间现货实单可谈

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NCP511SN15 技术参数

NCP51199PDR2G 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR 2Amp Source Sink VTT Termination Reg RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L NCP51198PDR2G 功能描述:线性稳压器 - 标准 1.5A DDR Memory Termination Reg RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L NCP5111PG 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5111DR2G 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5109BDR2G 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP511SN28T1G NCP511SN30T1 NCP511SN30T1G NCP511SN33T1 NCP511SN33T1G NCP511SN50T1 NCP511SN50T1G NCP51200MNTXG NCP512SQ13T1G NCP512SQ13T2G NCP512SQ15T1 NCP512SQ15T1G NCP512SQ15T2G NCP512SQ18T1 NCP512SQ18T1G NCP512SQ18T2G NCP512SQ22T2G NCP512SQ25T1