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NCV33152DR2G

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  • 功能描述
  • 功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 产品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 类型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升时间
  • 下降时间
  • 电源电压-最大
  • 30 V
  • 电源电压-最小
  • 2.75 V
  • 电源电流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-8
  • 封装
  • Tube
NCV33152DR2G 技术参数
  • NCV33152DR2 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCV33079DR2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述: NCV33074DR2G 功能描述:运算放大器 - 运放 ANA HI SPD/SS QUAD OA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel NCV33074ADTBR2G 功能描述:运算放大器 - 运放 ANA HI-SPD/S.S. QUAD O.A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel NCV33074ADR2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ANA HI-SPD/S.S. QUAD O.A - Tape and Reel NCV33164D-3R2G NCV33164D-5R2 NCV33164D-5R2G NCV33172DR2 NCV33172DR2G NCV331SN3T1G NCV33201VDR2G NCV33202DMR2G NCV33202VDR2G NCV33204DR2G NCV33204DTBR2 NCV33204DTBR2G NCV33269DR2G NCV33269DT-5.0G NCV33269DTRK-012 NCV33269DTRK-12G NCV33269DTRK-3.3 NCV33269DTRK3.3G
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